●前言

    3年前，笔者个人购买当时还算主流的手机——NOKIA 6108。当时GSM手机卡本身的存储空间有了一定幅度的提升，6108手机本身的可存储容量也比过去提高了一些，但也仅有2.7MB，手机外置存储卡这个概念还不普遍。

 三年前的主流机型NOKIA 6108，还没有外置存储卡的概念

    而仅仅过了3年，新一批的主流手机几乎没有不支持各种格式的外置存储卡的了。因为手机可干的事情越来越多，从单一的通话短信发展到游戏、MP3、MP4……手机存储也由存储通讯录、短信发展到音乐文件、照片和视频文件。

 指甲盖的战争

    而手机存储卡的外形，也越来越小，各种标准相关支持厂商都推出了同电器性能、更小尺寸的微缩型规格存储卡，以适应手机本身的产品特性，存储卡的体积也变得越来越小。其中，microSD、MMC micro和M2出现的时间相对最晚、体积最小。M2卡的大小为15.0×12.5×1.2mm，MMC micro大小为14×12×1.1mm，而microSD卡大小为15×11×1mm，都只有大约人的手指甲盖大小。

 SONY的M2存储卡也是指甲盖大小

    而这三种微型存储卡中，SONY发布的M2主要应用在Sony Ericsson的手机中，三星发布的MMC micro主要应用在三星手机中，范围未免相对狭小。而Sandisk作为第三方存储卡厂商发布的microSD卡相对应用范围广那么一些。

 MMC卡家族，最小的就是MMC micro

    近来，市面上采用microSD卡作为外置存储介质的手机逐渐增多。不仅是手机，microSD卡还较多用于其它的存储领域。因此，本文针对市面比较常见的microSD来进行一个横向比较，从各个方面来看看，谁家的microSD卡品质最好。

    microSD卡，是以NAND 闪存为存储介质的一种存储卡。因此，在进入正式的产品部分之前，我们有必要来了解一下一些关于NAND闪存的简单知识和闪存芯片的种类，对于我们理解产品部分，也是有一定好处的。

目录部分

第一章 闪存诞生和分类

    第一节 NAND闪存 大容量闪存发展方向
    第二节 第二节 SLC和MLC
    第三节 第三节 大容量低价闪存的出现使闪存的应用更广泛

第二章 microSD的卡的出现和应用范围

   第一节 SD卡和miniSD卡 
    第二节 指甲盖大的存储——microSD卡简介
        第一小节 前工序：晶元的生产
        第二小节 后工序：microSD卡结构和封装
    第三节 什么因素决定microSD卡的速度
        第一小节 SLC和MLC谁更好
            -速度差异
            -功耗、写入次数和出错率的差异
        第二小节 控制IC——把握速度的命脉
    第四节 microSD卡应用范围简介
        -Moto、NOKIA、三星、LG四款使用TF卡手机介绍
        -游戏机、PMP和MP3
 
第三章 产品评测

    第一节 测试软件和测试方法
        -硬件环境、软件测试和手动测试
        -NDS游戏《恶魔城：废墟的肖像》测试要点

    第二节 实战测试
        第一小节 1GB～2GB大容量组
            -KingMax 1GB
            -创见1GB
            -创见2GB
            -Kingston 1GB（“日产”）
            -Kingston 2GB（“台产”）
            -Apacer（宇瞻） 1GB
            -Apacer（宇瞻） 2GB
            -A-DATA（威刚） 2GB
            -PNY 1GB
            -SanDisk 1GB
         第二小节 512MB组
            -创见512MB 80x
            -PQI 512MB
            -KingMax 512MB

第四章 总结:该买什么样的microSD卡

● 第一章 闪存诞生和分类

第一节 NAND闪存 大容量闪存发展方向

    1980年，Intel以原EPROM为基础，研制成功block读写的Flash Memory，这也是今天闪存的鼻祖。1987年，东芝公布了NAND闪存；1988年，Intel公布NOR闪存。NOR闪存和NAND闪存目前已经成为主流的两种闪存。。除了NOR闪存和NAND闪存，后来还有三菱的DiNOR闪存和日立的AND型闪存，不过都不如NOR和NAND闪存那样常见，本文也就略过不提了。

 Intel无线NOR闪存

 AD MUX I/O NOR闪存芯片

    简单来说，NOR闪存因为先天设计特点等方面的原因，在读取速度上比NAND闪存更快，但是擦除和写入速度却不如NAND闪存。并且由于Cell Size比较大，相对耗电比NAND闪存更多、成本更高。现在NOR闪存主要用于如手机内建存储装置等领域。而NAND闪存由于Cell Size小，容量上占有绝对的优势，相对成本低、耗电低，目前广泛应用于各种存储卡、U盘等外接存储装备。

    不难看出，正因为因为容量和成本上的绝对优势，NAND闪存成为我们日常接触最多的闪存。并且，NAND闪存的应用范围越来越广。象我们这里提到的各种类型存储卡，包括指甲盖大小的microSD卡，采用的就是NAND闪存。本节我们介绍的重点也只能是NAND闪存。

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● 第二节 SLC和MLC

    NAND闪存可分为三大架构：单层单元（Single Level Cell），SLC；多层单元（Multi Level Cell），MLC；多位单元（Multi Bit Cell），MBC。其中，MBC是Infineon和Saifun以NROM技术为基础共同开发的NAND闪存架构，该项架构技术并不是十分成熟，目前没有广泛应用，本节略过不提。

 SLC和MLC结构和工作原理示意图

    SLC是基础的NAND闪存技术，与EEPROM的原理类似（整个NAND闪存都是东芝根据EEPROM发展开发的）。其工作原理简单来说，是在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动栅（Floating Gate，闪存存储单元中存放电荷的部分），数据是0或1取决于浮动栅中是否有电荷。有电荷为0，无电荷为1。写入时只有数据为0时才进行写入，写入方式是向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电荷能量。电荷突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。

    采用这样的方式在每个Cell中可存储1个bit的信息，其特点是稳定、读写速度快，但Cell可写入次数为10万次，三星是SLC是主要倡导者。但是SLC也有很大的缺点，就是同面积容量比较小，并且由于先天上的限制，基本上很难再往前发展。

 两个MLC Block的NAND FLASH

    1997年，Intel率先研发成功MLC，在一个Cel当中存储2bit的数据，存储密度更高，能明显的提升Flash 的容量。MLC在一次读写中有00、01、10和11四个状态，工作时是通过内存储存的电压控制精准读写来控制不同电位的电荷。其原理是将两个位的信息存入一个浮动栅，然后利用不同电位的电荷，透过储存格的电压控制精准读写。以控制浮动栅上的电荷数量，使其呈现出4种不同的存储状态，每种状态代表两个二进制数值(从00、01、10、11)，以显示不同的信息。假设以4种电压控制、1个晶体管可存取2 bits 的数据，若是控制8种电压就可以存取3 bits 的数据，使Flash 的容量大幅提升。通过精确MLC拥有比较好的存储密度，是相当良好的低价解决方案，可大幅节省产品成本，具有较高的性价比。

    MLC由于成本低，容量大，问世以来得到了Intel、东芝、Hynix等多家闪存大厂的支持，其中东芝更是大力发展MLC技术。不过，MLC也有其缺点，那就是工作不如SLC稳定，读写速度也比SLC慢。还有，MLC的可写入次数为1万次。因此，MLC曾一度被误解为劣质闪存芯片。不过，由于容量上的先天优势，MLC技术也在不断改进和发展。

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● 第三节 大容量低价闪存的出现使闪存的应用更广泛

    2004年，东芝接续推出了MLC 4Gbit和8Gbit容量NAND芯片，将NAND闪存容量更推上新高峰。2005年，东芝曾采用90nm技术与三星的73nm技术展开肉搏。东芝90nm MLC闪存的存储密度为每平方毫米29Mb，远远高于三星73nm闪存的每平方毫米25.8Mb的密度。

 三星73nm闪存核心

    因此，一直将重点放在SLC的三星也开始改变对MLC的看法。2004年和2005年三星在国际固态电路大会（ISSCC）上提交的MLC技术论文，标志着该公司的观点发生了变化。虽然在三星的网站上仍旧没有任何有关MLC闪存的营销信息，但该公司的确已生产出了4Gb MLC NAND闪存芯片。其裸片尺寸是156平方mm，同东芝采用90nm工艺的MLC 4Gb NAND闪存相比，还是大了18平方mm。因此在MLC技术上追上东芝，三星在其下一代MLC技术上还需要改进。

    不过，三星最近改进了新的的Flex-OneNAND型闪存，这是一种混合型闪存芯片，可以在一颗芯片封装里混合采用SLC和MLC。以此来综合两者的优势，这种产品的接受度和实际性能还有待市场的检验。

 Flex-OneNAND成为三星闪存重要组成部分

    无论如何，MLC的出现和发展，使得闪存在相对低的成本下实现越来越高的容量成为可能。近年来各种NAND闪存存储卡体积越来越小，容量越来越大。以往由于容量上的缺陷，需要由0.8英寸、1英寸、1.8英寸等微型硬盘来填补空白的领域，现在正逐渐被大容量闪存“收复失地”，例如CF卡。相对于硬盘来说，闪存由于没有硬盘那样比较复杂伺服机构，稳定性、安全性、抗震性都要高很多，此外体积、重量、发热、噪音等各方面都要低不少。

    由于MLC的发展，在比较狭窄的范围内装下较大的容量更加容易。同时由于MLC的成本较低，大容量小尺寸存储卡也得到了比较长足的发展，现在市面有售的指甲盖大小存储卡的容量上限普遍为2GB，而下一代产品正在向4GB甚至更高容量挺近。

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● 第二章 microSD的卡的出现和应用范围

 

第一节 SD卡和miniSD卡

 

安全数码——SD卡简介

 

    由于microSD卡是由SD卡派生而来，和SD卡兼容，电气性能基本一致。这里我们有必要简单了解一下SD卡。SD卡的全称是Secure Digital Memory Card，由松下、东芝和SanDisk于1999年8月共同推出，并成立了SDA（SD Association，SD协会），共同来推广SD标准。

 

    SD卡的数据传输和物理规范由MMC发展而来，其尺寸和MMC相近，为24×32×2.1mm。对比MMC卡为24mm×32mm×1.5mm，相比SD卡略厚，显然有更多的堆叠空间。SD卡表面积和一张邮票差不多，重量只有约2g。

 SD卡内部构造和针脚定义示意图

    SD卡具备串行和随机存取能力，可通过优化速度的串行接口访问，数据传输可靠。因此Secure Digital这个命名就有“安全数码”的意思。SD卡通过9Pin接口与相应读写设备连接，由于采用NAND闪存介质而不易损坏，读写数据、格式化都比较方便，被MP3、数码相机、游戏机等多种设备广泛采用。

 

    SDA对SD卡的速度用Class等级来标识，目前主要有Class 2、Class 4和Class 6三种。主要以写入速度来区别不同的Class：Class 2表示写入速度大于或等于2MB/s，Class 4表示写入速度大于或等于4MB/s，Class 6表示写入速度大于或等于6MB/s。

 

为手机而来——miniSD卡

 

    虽然SD卡推广很迅速，被各种数码设备广泛采用。但对于日益小型化、轻量化的手机来说，体积还是有点大了。加上有SONY的MS Duo和Fujifilm的xD等小型存储卡加紧争夺手机存储领域，SanDisk首先在2003年的CeBIT展览中公布了miniSD标准，最终2003年SDA正式确认miniSD为SD的细小型规格。

 这个就是miniSD卡

    miniSD卡的尺寸为21.5×20×1.4mm，面积比SD卡几乎缩小了一半，厚度也有所降低。重量约为1g，比SD卡更轻。为兼容SD卡，尽管miniSD卡有11pin（标准SD卡9pin），但在电气性能上miniSD和SD是完全一样的，操作电压都是2.7V到3.6V。miniSD一般会随卡发售转接卡，可通过转接卡转为标准SD卡使用。只是，miniSD卡不具备SD所具有的写保护和终止保护功能。

 SDA的官方宣传，miniSD专为手机而来

    在SDA的官方网站的宣传上，miniSD是专门针对手机存储的产品。miniSD卡推出至今，被各类手机大量采用，成为应用最为广泛的手机存储卡之一。

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● 第二节 指甲盖大的存储——microSD卡简介

 

第一小节 前工序：晶元的生产

 

    miniSD卡虽然得到了广泛的采用，但由于手机越来越小，性能越来越高，内部留给存储卡的空间也越来越少。同时，一些别的领域也需要体积更小的存储卡产品。面对这样的情况，Sandisk又开始兴风作浪，开发出了T-Flash微型存储卡，后来更名为TransFlash卡。而SDA在2005年3月14日以TransFlash卡标准为基础公布microSD的格式，并于2005年7月13日批准了microSD最终的规格。并被Motorola率先应用在手机产品上。因为这样的关系，至今microSD也被人们叫为T-Flash卡或TF卡。

 本文的主角——micsoSD卡

    microSD卡的尺寸为15×11×1mm，确实是指甲盖那么大，重量减少为接近0.5g。针脚改为8pin，电气性能仍然和SD卡兼容，工作电压依然是2.7V到3.6V。microSD卡发售时一般会附带转接卡，通过转接卡可作为标准SD卡使用。

 一大块未经切割的晶元

    我们简单来看看microSD卡的构造。对于所有半导体产品，晶元的生产都是上游产业。晶元的原始材料是硅，二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成高纯度多晶硅。晶元制造厂再将此多晶硅融解，于融液内掺入一小粒的硅晶体晶种，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，再经过研磨、抛光、切片后，即成为了集成电路的基本原料——硅晶圆片，俗称晶元。

 切割好的晶元Chip示意图

    在IC制造过程中，通常被分为前、后工序，晶元光刻的工艺（流片）被称为前工序，指用光技术在晶元上蚀刻电路，通常由晶元厂商来完成此工序，这是IC制造的最要害技术（拿NAND闪存举例，三星、东芝等就是此要害技术掌握者）。影响单位晶元容量以至成品存储设备容量的因素中，制程技术首当其冲。所谓制程，代表了做工能达到的精密程度，即IC生产工艺可达到的最小导线宽度，是IC工艺先进水平的主要指标。也就是说线宽越小，集成度就高，在单位面积的晶圆片上就集成更多的电路单元，从而提高产品的存储容量。拿三星的63nm制程、采用MLC的晶元举例，该制程可生产出单颗4Gbit容量的Chip，尺寸90×90×25μm。

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● 第二小节 后工序：microSD卡结构和封装

 

    晶元流片后,其切割、封装等工序则被称为后工序。通常后工序由晶圆工厂、专门的切割封装工厂或是存储卡厂商的相关工厂来完成。一般来说，由于体积的关系，microSD卡普遍采用的是COB（Chip On Board）封装。COB封装的特点简单来说就是通过晶元扩张、点胶、刺晶、烘干、打线、点胶等一系列流程，将晶元、控制IC直接一体化封装在成品卡的PCB板上。

 microSD卡内部构造简示图

    来看看COB封装的microSD卡简单内部构造图，金线是各元件之间的连接线，中央的PCB板上是晶元Chip堆叠区域，一般来说卡的容量取决于这个地区的晶元Chip堆叠。这又取决于两个因素：一是单颗晶元Chip的容量；二是堆叠的层数。就microSD卡1mm厚度的空间，以三星25μm厚度的Chip为例，排除PCB板、模具厚度等因素，堆叠层数极限在8层或9层。

 8层堆叠技术示意图

 9层堆叠技术示意图，顶层为控制IC

    拿KingMax来说，其封装技术采用自有PIP封装（COB的一种）。我们可以看看图，堆叠区包括8层Chip和控制IC，一共形成了9层堆叠。

 

    在上面microSD卡结构图中，被动元件指电容电阻类元件，ESC指金手指。这个“指甲把手”是比较形象的说法，其实相应的地方只有一处沟槽，拿传统标准来看称不上是把手。依靠这个沟槽，例如将microSD卡插入标准SD转接卡中时，拇指指甲可以比较方便地将microSD卡取出来。

 

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● 第三节 什么因素决定microSD卡的速度

 

    其实看完前文的介绍，我们不难发现，影响microSD卡、甚至整个NAND闪存为存储介质的存储卡，其速度无非由两个因素决定：一是闪存Chip本身的速度，这个因素由上游闪存Chip供应商决定，也是存储卡读写速度的根本所在；二是控制IC的类型，这也是一个重要因素。其它还有如做工、被动元件、金手指品质等因素，相对来说对存储卡速度的影响就不那么大了。

 

第一小节 SLC和MLC谁更好

 

    前文我们用不小的篇幅介绍过SLC和MLC的区别，我们都了解到MLC具备先天容量上的优势。事实上可以说正是由于MLC的发展，才促成了microSD卡这样的微型产品的诞生。不过，MLC某些性能上不如SLC，这也是事实，曾经不少人认为MLC是低品质产品。那么，两者的差距究竟有多大呢？

 

速度差异

 

    首先来谈谈两者最重要的差异——速度差异。严格上来说，速度和控制IC的关联很大，但是芯片本身是存在着速度差异的，而且不同厂家、不同容量的SLC和MLC，速度上也有不同的差异。前文已经叙述清楚，SDA是依据写入速度来区分SD卡的速度Class等级，因此写入速度显得尤为重要。这里我们可以取厂商数据作为范例标准。先来看看东芝在近似相同的外围电气环境下给出的比较图。

 东芝SLC和MLC写入速度的比较

    这里注意一个问题是图中1KB=1000Byte而不是我们常用的1024Byte。这里“Program”指编程速度的比较，基本可以理解为写入速度。SLC的NAND闪存写入速度为8MB/s，换算成常用单位约为7.6MB/s，这个理论速度比SDA规定的Class 6等级要高。而MLC的NAND闪存写入速度为2.4MB/s，换算成常用单位约为2.3MB/s，只等于Class 2的水平。因此，我们不难理解，为什么多数miniSD卡和microSD卡的速度标准是Class 2。下面我们再看读取速度上的差异。

 东芝SLC和MLC读取速度的差异

    理论上看，东芝相应SLC读取速度为24MB/s，换算一下大约是22.9MB/s。而MLC的读取速度为18.6MB/s，换算下约为17.7MB/s。差距不算特别大，在可以接受的范围内。在microSD卡中，由于控制IC类型等种种原因，读取速度往往离理论值差距比较大。

    看了这些比较，我们可以看出SLC和MLC速度差异的参考比较，注意这个比较仅仅是一个参考。由于控制IC等原因，也存在使用MLC芯片，速度标准达到Class 6的存储产品。总的来说，SLC目前存在速度上的优势是事实，但就实际microSD卡的性能比较，这种速度上的优势在多数时候并不明显，后面我们将通过测试来说明。

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● 写入次数的差异——以一对十

    这里有个众所周知的理论指标：SLC的写入（编程）次数为10万次，MLC的写入（编程）次数为1万次。基本上MLC是以一对十，看起来好象是挺大的差距，实际上究竟如何呢？

    有人做过比较，假设购买了一款采用MLC NAND闪存为存储介质的MP3播放器，每天更新一次MP3文件，这样每年要执行365次写入，1万次可够折腾至少27年的，去除7年零头作为数据读取对闪存寿命的损耗，这款MP3播放器如其它部件不出问题可以正常使用至少20年。就算恋旧的人也不可能20年就用一款MP3播放器吧？

 很难想象一款用20年的MP3……

    这种比较很有道理，其实，我们拿到microSD卡的领域来看，无论你是使用手机还是其它相关产品。有时候一天要执行4、5次，甚至是10次的数据写入操作，例如更换MP3、更换MP4，如果游戏的话就更麻烦，隔几个小时更新一次都有可能。但同样，更新完成后，几天、甚至10几天都不更新数据也是常有的事。相信基本上每一位拥有数码产品的人都有这样的感受。因此，平均每天写入1次，总体寿命约为20年的推算是比较合理的。多数人可能远远达不到平均每天更新一次这个指标。

    就算你是个数据写入狂，平均每天执行5次数据写入操作（一天执行5次不难，难的是天天坚持执行5次），除去零头作为读取操作对寿命的损耗。那么，1万次的寿命也够你折腾5年左右。以IT产业日新月异的发展状态，5年后存储卡不知是什么格式、什么容量了。就如同5年前，你能想象指甲盖上的存储卡容量达到2GB吗？就算当年的32MB U盘至今仍然保存完好，有多少人还会再去使用呢？所以，其实MLC的寿命，作为microSD存储卡来说，完全够用了。追求10万次，只能得到心理上的安慰而已。

功耗差异——对microSD卡而言基本忽略

    硬性物理指标，SLC一个Cell放1bit数据，从前文的原理叙述来看，数据只有0和1两种状态，控制电压故只有增高和不增高两种状态，目前的驱动电压为1.8V。

    相对MLC的情况复杂很多，以2bit MLC为例，在一次读写中有数据有00、01、10和11四种状态，需要4种电压来控制。目前驱动电压就为3.3V。假如是4bit的MLC，这个数值也许更高。

    简单总结，目前MLC驱动电压更高，同等条件下功耗的确更多。不过这个问题对于microSD这样的标准化产品（SD标准电压2.7V到3.6V）来说这样的差异很小。

    不过技术是不断进步的，东芝、Intel以及三星都在抓紧研制MLC技术寻求突破。网上有消息指出，Intel新65nm制程MLC写入速度较以前产品提升两倍，工作电压仅为1.8V。

出错率差异——SLC更少

    很明显，这个是MLC高。道理同上节，SLC在一次读写中数据只有0或1两种状态，而2bit MLC有00、01、10和11这种状态，谁更复杂一目了然。MLC工作时需要透过储存格的电压控制精准读写，以控制浮动栅上的电荷数量，使其呈现出4种不同的存储状态。MLC的出错率显然要比SLC高，出错率高可能会部分体现在速度的差异上。

本节总结：MLC容量战绝对优势，是microSD卡主流存储介质

    由于MLC的Cell数据存储密度变大，单颗Chip存储容量更高，单位容量的成本更低，这也是MLC最大的优势。也是尽管目前SLC暂时在性能上领先，包括三星在内的所有闪存厂商都大力发展MLC技术的原因。SLC在容量上先天不足，无法与MLC相比。

    前文提到，可以说正是由于MLC促成了microSD卡这样微型存储卡的出现，而且容量还不断攀升。不过无论是SLC还是MLC的技术都在发展，拿本次参测的产品来看，512MB容量卡全部采用SLC芯片，而1GB和2GB容量卡大部分采用MLC芯片。

 Sandisk符合SDHC规范的4GB microSD卡

    由于MLC不断发展，制程技术不断改进，以及8层堆叠技术的出现，更高容量的microSD卡的出现也成为可能。新的SDHC（High Capacity SD Memory Card）规格已经出台，符合SDA的SD 2.00规范，意思是大容量SD卡。SDHC以FAT32为标准格式，4GB容量起跳，最高支持32GB，已经有厂商推出4GB容量、SDHC规范的microSD卡。不过，现有的SD读卡设备需要升级才能支持新的SDHC卡。SDHC属于未来一段时间可能会流行的产品，本文只提一下，不作详细介绍。

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● 第二小节 控制IC——把握速度的命脉

    前文提到，控制IC是和使用NAND闪存存储设备读写速度密不可分的元件。不过，基本上控制IC的采用属于各存储卡厂商的内部资料，一般不会对外公布。由于microSD卡COB封装的特性，也不可能采用拆开卡片看IC的办法（拆开=破坏，而且未必看得见IC）。因此，要取得详细的控制IC资料就比较困难了。这里，我们只简单介绍一下几家常见的SD系列产品IC供应商，以及他们相关的IC产品。

慧荣

    慧荣（Silicon Motion）是台湾省著名的IC供应商，2006年第四季度相关控制IC的出货量超东芝、松下和Sandisk三强的总和，着实辉煌了一把。慧荣SD 1.1规范的控制IC主要有两种：单通道的SM264和双通道的SM266。官方网站没有公开比较详细的技术白皮书资料。

 慧荣的SM262控制IC

    慧荣的控制IC被各台系品牌存储卡厂商以及三星等国际品牌厂商广泛采用。

群联

    群联（phison）同样是台湾省的IC厂商，生产多种对应外置存储设备、读卡器等周边设备的控制IC。其针对SD系列的控制IC主要是专门的PS4041S和通用型的PS3002。

 

 SD专用IC PS4041S

 通用型IC PS3002

    群联官方提供比较详细的PDF资料下载，对不同环境下的读/写速度有基本的介绍，有兴趣的朋友可以下载一读。

擎泰

    擎泰（skymedi）也是台湾省的IC设计供应商，主要产品包括SD/MMC存储卡控制IC和USB 2.0控制IC。其产品以高读写速度著称。

    擎泰官方网站提供产品基本资料，不过没有太详细的PDF。从现有资料来看，SK6612系列IC的L型是专门针对microSD和MMC micro的通用型产品，理论最高支持读写速度分别为30MB/s和21MB/s。